تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

DMN3190LDW-13

سازندگان:	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	DMN3190LDW-13
توضیحات:	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	-
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
بسته بندی	Digi-Reel®
ویژگی های FET	Logic Level Gate
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	320mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.8V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	190mOhm @ 1.3A, 10V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	SOT-363
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	2nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	87pF @ 20V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	1A