تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

DMN2014LHAB-7

سازندگان:	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	DMN2014LHAB-7
توضیحات:	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	-
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
ویژگی های FET	Logic Level Gate
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	800mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	6-UFDFN Exposed Pad
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	1.1V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	13mOhm @ 4A, 4.5V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	U-DFN2030-6 (Type B)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	16nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1550pF @ 10V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	9A