تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

DMN2005UFG-7

سازندگان:	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	DMN2005UFG-7
توضیحات:	MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	-
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±12V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-PowerVDFN
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	1.2V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
استهلاک قدرت (حداکثر)	1.05W (Ta)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PowerDI3333-8
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	164nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	6495pF @ 10V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	18.1A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	2.5V, 4.5V