Image is for reference only , details as Specifications

DMG4N60SJ3

سازندگان:	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	DMG4N60SJ3
توضیحات:	MOSFET NCH 600V 3A TO251
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	-
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±30V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Obsolete
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4.5V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	2.5Ohm @ 2A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	41W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	TO-251
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	14.3nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	600V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	532pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	3A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V