Image is for reference only , details as Specifications
TPN22006NH,LQ
| سازندگان: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| دسته بندی محصولات: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| برگه داده ها: | TPN22006NH,LQ |
| توضیحات: | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON |
| وضعیت RoHS: | سازگار با RoHS |
| ویژگی | مقدار مشخصه |
|---|---|
| تولید کننده | Toshiba Semiconductor and Storage |
| دسته بندی محصولات | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| سری | U-MOSVIII-H |
| نوع FET | N-Channel |
| بسته بندی | Digi-Reel® |
| Vgs (حداکثر) | ±20V |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
| ویژگی های FET | - |
| قسمت وضعیت | Active |
| نوع نصب | Surface Mount |
| بسته بندی/مورد | 8-PowerVDFN |
| Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه | 4V @ 100µA |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) |
| Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V |
| استهلاک قدرت (حداکثر) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| بسته بندی دستگاه تامین کننده | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 710pF @ 30V |
| جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c | 9A (Ta) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ) | 6.5V, 10V |
در انبار 1618 pcs
| قیمت مرجع ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
حداقل: 1
درخواست نقل قول
فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت
Bargain Finds
