Image is for reference only , details as Specifications

MJ11012G

سازندگان:	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
برگه داده ها:	MJ11012G
توضیحات:	TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
سری	-
بسته بندی	Tray
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	200W
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-204AA, TO-3
نوع ترانزیستور	NPN - Darlington
دمای عملیاتی	-55°C ~ 200°C (TJ)
انتقال فرکانس	4MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	TO-204 (TO-3)
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	4V @ 300mA, 30A
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	30A
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	1mA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	1000 @ 20A, 5V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	60V